3種常用的MOS管驅動方式
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摘要 : 驅動方式是對簡易方式的一種初步改進,它不但能降低TTL器件的功率耗散,也能保證較高的開通速度。驅動方式可進一步改善驅動性能,不但關斷時間可以進一步縮短,開通時間與關斷時間的差別也通過互補電路而消除。
驅動方式是對簡易方式的一種初步改進,它不但能降低TTL器件的功率耗散,也能保證較高的開通速度。驅動方式可進一步改善驅動性能,不但關斷時間可以進一步縮短,開通時間與關斷時間的差別也通過互補電路而消除。同時,在這種驅動方式中的兩個外接晶體管起著射極跟隨器的作用,因而功率MOSFET永遠不會被驅動到飽和區(qū)。由于互補方式增加了驅動功率,這種方式更適合于大功率MOSFET的驅動。
而這種方式可以產生足夠高的柵壓使器件充分導通,并保證較高的關斷速度。由于外接負載電阻RL須有一定大小,以限制TTL的低電平輸出晶體管的功率耗散,因而這種驅動方式的開通速度不夠高。不過,對感性負載的開關電路來說,出于對動態(tài)損耗的考慮,關斷速度的重要性就是要強一些。
MOS管是一種電壓型控制器件，具有開關速度快，輸入阻抗高，驅動功率小等一系列優(yōu)點
常見的MOS管驅動方式有以下幾種
1、直接驅動
2、推挽驅動
當驅動IC的驅動能力不足時，我們采用推挽驅動，這中驅動方式不僅增加了驅動能力，而且也加速了關斷時間
3、變壓器驅動會
MOS管使用變壓器驅動，不僅實現電氣隔離，而且驅動速度也快，但是使用變壓器驅動時，MOS管的占空比不能大于50%，否則變壓器飽和。
