MOS管高端驅(qū)動(dòng)和低端驅(qū)動(dòng)
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摘要 : 低端驅(qū)動(dòng)：MOS管相對(duì)于負(fù)載在電勢(shì)的低端，其中D通過負(fù)載接電源，S直接接地。對(duì)于NMOS，只有當(dāng)Vgs大于開啟電壓時(shí)，MOS管才能導(dǎo)通。所以當(dāng)未導(dǎo)通時(shí)，S處于一個(gè)不能確定的電位。若讓Vgs大于開啟電壓，則DS導(dǎo)通，S確定為地電位，此時(shí)仍可以保證Vgs大于開啟電壓，保持DS導(dǎo)通。
低端驅(qū)動(dòng)：MOS管相對(duì)于負(fù)載在電勢(shì)的低端，其中D通過負(fù)載接電源，S直接接地。對(duì)于NMOS，只有當(dāng)Vgs大于開啟電壓時(shí)，MOS管才能導(dǎo)通。所以當(dāng)未導(dǎo)通時(shí)，S處于一個(gè)不能確定的電位。若讓Vgs大于開啟電壓，則DS導(dǎo)通，S確定為地電位，此時(shí)仍可以保證Vgs大于開啟電壓，保持DS導(dǎo)通。
而對(duì)于PMOS，只有到Vgs小于一個(gè)值，MOS才能導(dǎo)通。此時(shí)S處于一個(gè)不確定的電位。若讓Vgs小于開啟電壓，即使導(dǎo)通了，S確定下降到地電位，就不能保證Vgs小于開啟電壓。
高端驅(qū)動(dòng)：MOS管相對(duì)于負(fù)載在電勢(shì)的高端，其中D直接連接電源，S通過負(fù)載接地。對(duì)于NMOS，只有當(dāng)Vgs大于開啟電壓時(shí)，MOS管才能導(dǎo)通。所以當(dāng)未導(dǎo)通時(shí)，S處于一個(gè)不能確定的電位。即使讓Vgs大于開啟電壓，DS導(dǎo)通后，DS電位相等，同為電源電位，除非G極電位比電源電位還高，則不能保持導(dǎo)通狀態(tài)。
而對(duì)于PMOS，只有到Vgs小于一個(gè)值，MOS才能導(dǎo)通。此時(shí)S處于一個(gè)不確定的電位。若讓Vgs小于開啟電壓，使DS導(dǎo)通，DS同為電源電位，還是能保持Vgs小于開啟電壓，是MOS保持導(dǎo)通狀。
由上可知，PMOS適合作為高端驅(qū)動(dòng)，NMOS適合作為低端驅(qū)動(dòng)。但是由于工藝等各方面的原因。在大電流情況下，通常態(tài)仍把NMOS作為高端驅(qū)動(dòng)。于是，為了保證高端驅(qū)動(dòng)的NMOS的Vgs保持大于開啟電壓。我們會(huì)使用半橋驅(qū)動(dòng)芯片。半橋驅(qū)動(dòng)芯片把高端驅(qū)動(dòng)的NMOS的S極作為參考地，輸出一個(gè)恒定的開啟電壓，來控制MOS的導(dǎo)通。
