碳化硅肖特基二極管有什么特性？
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摘要 : MOSFET，無(wú)論是SiCMOSFET還是其他，在漏極和源極之間都有一個(gè)二極管，如圖所示。作為MOSFET結(jié)構(gòu)的結(jié)果，二極管由源極和漏極之間的pn結(jié)形成，也被稱為寄生二極管或內(nèi)部二極管。二極管的性能是MOSFET的一個(gè)重要參數(shù)，在實(shí)際應(yīng)用中對(duì)MOSFET的性能有著重要的影響。
MOSFET，無(wú)論是SiCMOSFET還是其他，在漏極和源極之間都有一個(gè)二極管，如圖所示。作為MOSFET結(jié)構(gòu)的結(jié)果，二極管由源極和漏極之間的pn結(jié)形成，也被稱為寄生二極管或內(nèi)部二極管。二極管的性能是MOSFET的一個(gè)重要參數(shù)，在實(shí)際應(yīng)用中對(duì)MOSFET的性能有著重要的影響。
碳化硅肖特基二極管的正向特性
下面的mos-SiC特性圖顯示了mos-SiC的特性。以源極為基準(zhǔn)，向漏極施加負(fù)電壓，二極管處于正向偏置狀態(tài)。在圖中，Vgs=0V的綠色軌跡顯示了主二極管的Vf特性。Vgs為0v，即MOSFET處于關(guān)斷狀態(tài)并且沒(méi)有溝道電流流動(dòng)，因此在這些條件下Vd-Id特性可以說(shuō)是二極管的Vf-If特性。正如在“什么是碳化硅”一節(jié)中所解釋的那樣？與Si-mosfet相比，SiC具有較大的禁帶寬度和極高的Vf。
另一方面，當(dāng)通過(guò)柵極和源極施加18v電壓使sicmosfet導(dǎo)通時(shí)，在電阻較低的溝道中流動(dòng)的電流占主導(dǎo)地位，而不是二極管。下面顯示了MOSFET橫截面圖，以幫助理解這些不同狀態(tài)的結(jié)構(gòu)方面。
碳化硅肖特基二極管的反向恢復(fù)特性！
MOSFET二極管的另一個(gè)重要特性是反向恢復(fù)時(shí)間（trr）。先前在SiC肖特基勢(shì)壘二極管一節(jié)中解釋過(guò)，trr是與二極管開(kāi)關(guān)特性有關(guān)的一個(gè)重要參數(shù)。當(dāng)然，因?yàn)镸OSFET的二極管有pn結(jié)，所以會(huì)出現(xiàn)反向恢復(fù)現(xiàn)象，這就是反向恢復(fù)時(shí)間（trr）。
下面比較了額定電壓為1000v的Si-MOSFET和SCT2080KE-SiC-MOSFET的trr特性。
如我們所見(jiàn)，本例中的Si-MOSFET的trr很長(zhǎng)，并且有很大的電流Irr流動(dòng)。相比之下，SCT2080KESiCMOSFET的二極管速度非常快。trr和Irr都很小，可以忽略不計(jì)，回收損失Err大大降低。
碳化硅肖特基關(guān)鍵點(diǎn)：
碳化硅肖特基二極管的正向特性Vf比SiMOSFET高。
碳化硅肖特基二極管的trr很快，相對(duì)于SiMOSFET，恢復(fù)損耗可以降低。
