MOSFET驅(qū)動(dòng)器是什么？
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摘要 : 強(qiáng)大的驅(qū)動(dòng)能力降低了具高柵極電容 MOSFET 中的開關(guān)損耗。針對(duì)兩個(gè)與電源無(wú)關(guān)的輸入進(jìn)行配置。高壓側(cè)輸入邏輯信號(hào)在內(nèi)部被電平移位至自舉電源，此電源可以在高出地電位達(dá) 114V 的電壓條件下運(yùn)行。
MOSFET驅(qū)動(dòng)器
MOSFET驅(qū)動(dòng)器是一款高頻高電壓柵極驅(qū)動(dòng)器，可利用一個(gè)同步 DC/DC 轉(zhuǎn)換器和高達(dá) 100V 的電源電壓來驅(qū)動(dòng)兩個(gè) N 溝道 MOSFET。
強(qiáng)大的驅(qū)動(dòng)能力降低了具高柵極電容 MOSFET 中的開關(guān)損耗。針對(duì)兩個(gè)與電源無(wú)關(guān)的輸入進(jìn)行配置。高壓側(cè)輸入邏輯信號(hào)在內(nèi)部被電平移位至自舉電源，此電源可以在高出地電位達(dá) 114V 的電壓條件下運(yùn)行。
特點(diǎn)：
欠壓閉鎖功能
自適應(yīng)貫通保護(hù)功能
自舉電源電壓至 114V
1.4A 峰值頂端柵極上拉電流
1.75A 峰值底端柵極上拉電流
耐熱增強(qiáng)型 8 引腳 MSOP 封裝
寬 VCC 電壓：4.5V 至 13.5V
1.5Ω 頂端柵極驅(qū)動(dòng)器下拉電阻
0.75Ω 底端柵極驅(qū)動(dòng)器下拉電阻
5ns 頂端柵極下降時(shí)間驅(qū)動(dòng) 1nF 負(fù)載
8ns 頂端柵極上升時(shí)間驅(qū)動(dòng) 1nF 負(fù)載
3ns 底端柵極下降時(shí)間驅(qū)動(dòng) 1nF 負(fù)載
6ns 底端柵極上升時(shí)間驅(qū)動(dòng) 1nF 負(fù)載
可驅(qū)動(dòng)高壓側(cè)和低壓側(cè) N 溝道 MOSFET
應(yīng)用：
分布式電源架構(gòu)
汽車電源
高密度
電信系統(tǒng)
為什么需要用到MOSFET驅(qū)動(dòng)器？
要驅(qū)動(dòng)大容量MOSFET需要提供短時(shí)瞬間大電流，并在溝道開通后維持合適的柵源電壓(10～15V)，如果用普通控制芯片或單片機(jī)直接驅(qū)動(dòng)，輸出電流不夠，輸出電壓也沒有這么高，所以需要驅(qū)動(dòng)器。
MOSFET不需要電流，是因?yàn)闇系篱_通后，不需要像BJT那樣必須維持一個(gè)基極電流Ib，但在溝道從關(guān)閉到到開通前，必須用瞬態(tài)大電流給MOSFET柵極電容充電。
