可控硅是否能夠代替MOS管？
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摘要 : 可控硅的學(xué)名叫晶閘管，用SCR代表它。其中，晶閘管里面又分為單相晶閘管和雙向晶閘管。單相晶閘管結(jié)構(gòu)為門極（G）表示，陰極（K）表示，陽極（A）表示。而雙向晶閘管除控制極用G表示，另外的兩個極分別為T1、T2表示。
可控硅不能代替MOS管，它們兩者之間雖然封裝形式差不多，都是三個腳位引出，但工作原理完全不一樣的。
可控硅的學(xué)名叫晶閘管，用SCR代表它。其中，晶閘管里面又分為單相晶閘管和雙向晶閘管。單相晶閘管結(jié)構(gòu)為門極（G）表示，陰極（K）表示，陽極（A）表示。而雙向晶閘管除控制極用G表示，另外的兩個極分別為T1、T2表示。
晶閘管的特性可分為導(dǎo)通和關(guān)斷兩種狀態(tài)，二者均隨陽極電壓、電流和控制極電流等條件的變化而改變。見下圖表所示。
維持導(dǎo)通的條件為，①陽極電位高于陰極電位；陽極電流大于維持電流；①、②兩個條件必須同時具備。
導(dǎo)通轉(zhuǎn)為關(guān)斷的條件為，①陽極電流小于維持電流；②陰極電位低壓陰極電位；其中具備①、②中的一個條件即可。
而MOS管叫做場效應(yīng)管，根據(jù)工藝分類，它可以分為結(jié)型場效應(yīng)管和絕緣柵場效應(yīng)管(俗稱MOS)兩類。
根據(jù)導(dǎo)電溝道所用材料進(jìn)行分類，它可以分為N型溝道和P型溝道兩種。
根據(jù)零壓條件下源、漏極通斷狀態(tài)進(jìn)行分類，它可以分為耗盡型和增強(qiáng)型兩種。(當(dāng)柵壓為零伏時存在較大的漏極電流的場效應(yīng)管被稱為耗盡型場效應(yīng)管，只有當(dāng)柵偏壓達(dá)到一定值時才有漏極電流的場效應(yīng)管被稱為增強(qiáng)型場效應(yīng)管)。
場效應(yīng)管的主要特性參數(shù)有以下幾個。
1、夾斷電壓Up，Ups為某一固定值(例如10V)并且使id等于某一微小電流(例如50mA)時，柵~源極之間所施加的電壓即是夾斷電壓；若Ugs=Up，則Id=0。
飽和漏極電流Idss，它是指Ugs=0時，場效應(yīng)管發(fā)生預(yù)夾斷的漏極電流；Idss是結(jié)型場效應(yīng)管所能夠輸出的最大電流。
2、開啟電壓Ut，這個參數(shù)是MOS增強(qiáng)型場效應(yīng)管的重要參數(shù)之一(它的意思是說；若柵極~源極電壓Ugs小于Ut，則場效應(yīng)管是處于截止?fàn)顟B(tài))。
3、直流輸入電阻Rgs，它是指在漏~源極施加一定電壓時，柵~源極之間的直流電阻，即柵~源極間的等效電阻。
⑤跨導(dǎo)gm，它是指漏極電流的微變量與引起這個微變的漏~源電壓微變量的之比；即:gm=△Id/△Ugs，跨導(dǎo)這個參數(shù)是衡量場效應(yīng)管漏~源電壓對漏極電流控制能力的一個重要參數(shù)，也是衡量場效應(yīng)管放大作用的主要參數(shù)之一。
4、最大漏極功率Pd，Pd=Uds*Id，這個參數(shù)相當(dāng)于普通三極管的Pcm。
5、極限漏極電流Id，它是指漏極能夠輸出的最大電流，相當(dāng)于普通三極管的Ic。
6、導(dǎo)通電阻Rds(on)，它是指場效應(yīng)管導(dǎo)通時，漏~源極之間的電阻值；這個參數(shù)屬于場效應(yīng)管的靜態(tài)參數(shù)。
7、最大漏~源電壓Udss(或Uds)，它是指場效應(yīng)管的漏~源極之間可以承受的最大電壓，相當(dāng)于普通三極管的最大反向工作電壓Uceo。
