MOS管種類、結(jié)構(gòu)、導(dǎo)通特性、開關(guān)管丟失
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摘要 : MOSFET管是 FET的一種（另一種是 JFET），能夠被制作成增強(qiáng)型或耗盡型， P溝道或 N 溝道共 4 品種型，但實(shí)踐運(yùn)用的只需增強(qiáng)型的 N溝道 MOS管和增強(qiáng)型的 P 溝道 MOS管，所以一般說(shuō)到 NMOS，或許 PMOS指的便是這兩種。
MOS管品種和結(jié)構(gòu)
MOSFET管是 FET的一種（另一種是 JFET），能夠被制作成增強(qiáng)型或耗盡型， P溝道或 N 溝道共 4 品種型，但實(shí)踐運(yùn)用的只需增強(qiáng)型的 N溝道 MOS管和增強(qiáng)型的 P 溝道 MOS管，所以一般說(shuō)到 NMOS，或許 PMOS指的便是這兩種。
至于為什么不運(yùn)用耗盡型的 MOS管，不主張尋根究底。
關(guān)于這兩種增強(qiáng)型 MOS管，比較常用的是 NMOS。原因是導(dǎo)通電阻小，且簡(jiǎn)單制作。所以開關(guān)電源和馬達(dá)驅(qū)動(dòng)的運(yùn)用中，一般都用 NMOS。下面的介紹中，也多以 NMOS為主。
MOS管的三個(gè)管腳之間有寄生電容存在，這不是咱們需求的，而是因?yàn)橹谱鞴に嚰s束發(fā)生的。寄生電容的存在使得在規(guī)劃或挑選驅(qū)動(dòng)電路的時(shí)分要麻煩一些，但沒有方法避免，后邊再具體介紹。
在 MOS管原理圖上能夠看到，漏極和源極之間有一個(gè)寄生二極管。這個(gè)叫體二極管，在驅(qū)動(dòng)理性負(fù)載（如馬達(dá)），這個(gè)二極管很重要。順便說(shuō)一句，體二極管只在單個(gè)的 MOS管中存在，在集成電路芯片內(nèi)部一般是沒有的。
MOS管導(dǎo)通特性
導(dǎo)通的意思是作為開關(guān)，相當(dāng)于開關(guān)閉合。
NMOS的特性， Vgs 大于必定的值就會(huì)導(dǎo)通，適宜用于源極接地時(shí)的狀況（低端驅(qū)動(dòng)），只需柵極電壓到達(dá) 4V 或 10V 就能夠了。
PMOS的特性， Vgs 小于必定的值就會(huì)導(dǎo)通，適宜用于源極接 VCC時(shí)的狀況（高端驅(qū)動(dòng)）?？墒牵M管 PMOS能夠很方便地用作高端驅(qū)動(dòng)，但因?yàn)閷?dǎo)通電阻大，價(jià)格貴，替換品種少等原因，在高端驅(qū)動(dòng)中，一般還是運(yùn)用 NMOS。
MOS開關(guān)管丟失
不管是 NMOS還是 PMOS，導(dǎo)通后都有導(dǎo)通電阻存在，這樣電流就會(huì)在這個(gè)電阻上消耗能量，這部分消耗的能量叫做導(dǎo)通損耗。挑選導(dǎo)通電阻小的 MOS管會(huì)減小導(dǎo)通損耗?，F(xiàn)在的小功率 MOS管導(dǎo)通電阻一般在幾十毫歐左右，幾毫歐的也有。
MOS在導(dǎo)通和截止的時(shí)分，必定不是在瞬間完結(jié)的。 MOS兩頭的電壓有一個(gè)下降的進(jìn)程，流過(guò)的電流有一個(gè)上升的進(jìn)程，在這段時(shí)刻內(nèi)， MOS管的丟失是電壓和電流的乘積，叫做開關(guān)丟失。一般開關(guān)丟失比導(dǎo)通丟失大得多，而且開關(guān)頻率越快，丟失也越大。
導(dǎo)通瞬間電壓和電流的乘積很大，形成的丟失也就很大?？s短開關(guān)時(shí)刻，能夠減小每次導(dǎo)通時(shí)的丟失；下降開關(guān)頻率，能夠減小單位時(shí)刻內(nèi)的開關(guān)次數(shù)。這兩種方法都能夠減小開關(guān)丟失。
